简介： 本发明提供了一种Ga₂O₃薄膜的制备方法，包括以下步骤：以有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气作为氧源，利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积，降温后得到Ga₂O₃薄膜；在Ga₂O₃薄膜生长的过程中间歇补充有机镁化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的Ga₂O₃薄膜，Ga₂O₃薄膜中掺杂微量镁。本申请通过对制备Ga₂O₃薄膜中有机镁化合物的通入时机和通入时间的控制，实现了微量镁掺杂的Ga₂O₃薄膜的制备，其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。