简介： 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI?CMOS器件的制作方法,该方法为:由下至上依次生长硅衬底层,埋层氧化层,单晶硅顶层;采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离;有源区包括NMOS区和PMOS区;在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口,利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层;在窗口处淀积多晶硅,填满,掺杂,然后通过化学机械抛光形成垂直栅区;在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火,源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单,制作出的器件占用面积小版图层数少,能够完全避免浮体效应,方便对寄生电阻电容的测试。