抗蠕变抛光垫窗
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抗蠕变抛光垫窗
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简介: 抗蠕变抛光垫窗。本发明的抛光垫可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光。所述抛光垫包括抛光层,所述抛光层包括聚氨酯窗。所述聚氨酯窗包括由预聚物混合物中的脂族或脂环族异氰酸酯和多元醇形成的交联结构。所述预聚物混合物与包含OH或NH2基团的增链剂反应,其中OH或NH2与未反应的NCO的化学计量比小于95%。当在60℃的恒定温度下,在140分钟,以1千帕的恒定轴向张力负荷测量的时候,所述聚氨酯窗的随时间变化的应变小于或等于0.02%,肖氏D硬度为45-90,对于厚度为1.3毫米的样品,在400纳米波长下的双程透光率至少为15%。
抗蠕变抛光垫窗。本发明的抛光垫可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光。所述抛光垫包括抛光层,所述抛光层包括聚氨酯窗。所述聚氨酯窗包括由预聚物混合物中的脂族或脂环族异氰酸酯和多元醇形成的交联结构。所述预聚物混合物与包含OH或NH2基团的增链剂反应,其中OH或NH2与未反应的NCO的化学计量比小于95%。当在60℃的恒定温度下,在140分钟,以1千帕的恒定轴向张力负荷测量的时候,所述聚氨酯窗的随时间变化的应变小于或等于0.02%,肖氏D硬度为45-90,对于厚度为1.3毫米的样品,在400纳米波长下的双程透光率至少为15%。
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标签:化学分析
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