简介： 本发明公开了一类噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及制备方法与应用。所述噻吩桥联四胺芘空穴传输材料的结构式如式I所示。该类空穴传输材料具有噻吩桥联的三芳胺结构单元，其在有机溶剂中溶解性好及成膜性好，大的共轭平面结构可有效提升材料的空穴迁移率，且制备成本低。通过光物理性质、电化学性能和热稳定性测试表明，所述空穴传输材料热稳定性好，能级与钙钛矿能级相匹配。将其作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中，具有良好的光电转换效率。