简介： 本发明涉及探测器级的超高纯锗单晶制备工艺以及该工艺的专用设备。该工艺包括多晶锭及拉晶设备的清洗以及单晶炉拉制单晶两个部分;该工艺的专用设备单晶炉包括固定装置、加热装置、冷却装置、通气装置以及拉晶装置。本发明反应物及反应设备均经过严格的物理及化学清洗,清洗液纯度高,且反应过程始终在超净工作台内进行,对反应物、反应环境纯度要求高,为制出高纯度的产品提供了先决条件;反应设备清洁度更高,炉体、坩埚及内部零件都用高纯石英件替代现用的石墨材料,且采用高频感应加热方式,避免用电阻石墨直接进行加热产生的杂质污染,降低了拉制产品过程中混杂杂质的可能性,保障了产品的纯度。