简介： 本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺，该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底(1)、介电层(2)和具有小于或等于100nm的厚度的半导体层(3)，所述半导体层(3)被牺牲氧化物层(4)覆盖，其特征在于该工艺包括以下步骤：在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层(4)和所述半导体层(3)的厚度，以根据所述测量生成所述半导体层(3)的厚度的绘图并确定所述半导体层(3)的平均厚度，选择性刻蚀所述牺牲氧化物层(4)以暴露所述半导体层(3)，以及对所述半导体层(3)执行化学刻蚀，根据所述半导体层(3)的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件，从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层(3)至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度。