简介： 本发明公开了一种CMP分步研磨的方法,包括如下步骤:第一步,采用高转速低压力的化学机械研磨条件对产品硅片进行第一次研磨,来减小前膜膜厚,图形分布带来的差异;第二步,进行前膜测定,测定结果作为第二次研磨的依据;第三步,采用低转速高压力的化学机械研磨条件对产品硅片进行第二次研磨,通过减少研磨时间来减小因消耗品寿命变化带来的膜厚波动;第四步,进行最终残膜测定。该方法能减小产品差异或研磨速率波动带来的残膜膜厚异常。