铜碘团簇基微立方闪烁体及薄膜的制备和应用方法
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铜碘团簇基微立方闪烁体及薄膜的制备和应用方法
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简介: 本发明涉及一种铜碘团簇基微立方闪烁体及薄膜的制备和应用方法,是一种能够产生电离辐射激发发射的微立方闪烁体。微立方闪烁体包含掺杂在基质层中的铜碘团簇基微立方闪烁体。铜碘团簇基微立方闪烁体的化学式为C18H38Cu4I6N4。基质层是一些高透光性、优异的化学稳定性和良好的机械性能的聚合物。本发明的另一方面是电离辐射成像系统,微立方闪烁体放置在掺杂微立方闪烁体的基质层后方的数字照相机。光电探测器可以是下述的任意一种。通常,光电探测器是光电倍增管(PMT)探测器,薄膜晶体管(TFT)光电二极管传感器,电荷耦合器件(CCD)传感器,互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器或铟镓氧化锌(IGZO)TFT传感器。
本发明涉及一种碘团簇基微立方闪烁体及薄膜的制备和应用方法,是一种能够产生电离辐射激发发射的微立方闪烁体。微立方闪烁体包含掺杂在基质层中的铜碘团簇基微立方闪烁体。铜碘团簇基微立方闪烁体的化学式为C18H38Cu4I6N4。基质层是一些高透光性、优异的化学稳定性和良好的机械性能的聚合物。本发明的另一方面是电离辐射成像系统,微立方闪烁体放置在掺杂微立方闪烁体的基质层后方的数字照相机。光电探测器可以是下述的任意一种。通常,光电探测器是光电倍增管(PMT)探测器,薄膜晶体管(TFT)光电二极管传感器,电荷耦合器件(CCD)传感器,互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器或铟镓氧化(IGZO)TFT传感器。
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标签:化学分析
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