简介： 本发明公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺,该方法包括如下步骤:第1步,在硅片表面涂光刻胶,曝光显影后露出刻蚀窗口;第2步,测量刻蚀窗口之间的线宽;第3步,在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅;第4步,干法等离子体去除光刻胶;第5步,湿法化学剥离光刻胶;第6步,测量浅槽隔离结构之间的线宽;本发明的创新之处在于,在第3步和第4步之间增加一步:采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。本发明可以精确控制浅槽隔离工艺的特征尺寸,减少对光刻CD的精度要求,消除光刻返工,从而降低生产成本。