简介： 本发明的实施例改进基底的平坦度,其中基底的平坦度对于图案化和良率的提升相当的重要。在达到最终厚度或研磨所有的薄膜之前,使用化学机械研磨法平坦化基底。之后测量基底的轮廓和薄膜厚度,气体团簇离子束(gas?cluster?ion?beam,GCIB)蚀刻装置使用测量到的基底轮廓和薄膜厚度数据,决定在特定的位置要移除多少薄膜。气体团簇离子束蚀刻移除最终的层,使其符合基底均匀度和厚度目标的需求。此机制改进平坦度,以符合先进技术的需求。