简介： 本发明提供一种三维存储器件的制造方法及其器件结构，在进行化学机械抛光操作以平坦化三维存储器件表面的步骤之前，无需沉积氮化硅阻挡层作为化学机械抛光终止信号的操作，可以通过将位于三维存储器件区和外围电路区上方的氧化物绝缘层的厚度设置为比所述三维存储器件的堆叠层的厚度更厚，并通过监测位于所述堆叠层的核心平台区上方的氧化物绝缘层的厚度来确定后续化学机械抛光的时间，从而省略了传统的通过沉积氮化硅阻挡层来作为化学机械抛光停止操作的步骤，并且减少了化学机械抛光工艺后残留的各种缺陷问题，降低了制造成本和时间，提高工艺的稳定性和产品良率。