简介： 本发明公开了一种关键尺寸的控制方法,涉及半导体领域的光刻工艺。该控制方法包括:提供若干个控片,在控片表面形成模拟衬底;在控片模拟衬底上涂化学增幅光刻胶,进行曝光;进行显影步骤;显影后,对控片进行关键尺寸的测量,测定的尺寸为基准尺寸;将控片放置在生产晶圆的存放传送相同的环境内,放置不同的存放时间;测量经过所述不同存放时间后控片的关键尺寸,制成关键尺寸和存放时间的对应关系曲线,该对应关系曲线位于基准尺寸和生产晶圆的最大合格尺寸之间部分对应的存放时间即是生产晶圆的安全存放时间。本发明的控制方法通过显影后关键尺寸与存放时间的对应关系找出晶圆安全的存放时间,周期较短,提高了生产效率和保证良好产品成品率。