简介： 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用,该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜,并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器;迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上,代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极,能够实现低成本、高亮度的发光器件,扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。