简介： 该发明涉及一种晶圆减薄机台及晶圆减薄方法，其中所述晶圆减薄机台包括：量测单元，用于量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形；研磨单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果研磨晶圆；CMP单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果对晶圆进行化学机械研磨；裂纹及变形去除单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆表面的裂纹及变形。