简介： 本发明公开了一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的制备方法，步骤如下：以钼网作为基底，以可溶性镉盐作为镉源，将金属镉沉积在钼网上，将沉积好的钼网置于硫化氢气氛中进行硫化，即得到CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极。本发明制备的CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的光电转化效率高，有较大的应用前景。经实验研究发现CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极光电化学产氢性能，在光电化学测试中光电流超过三毫安，在主要吸光区域光电转化效率接近20％，性能优于传统FTO玻璃上制备的硫化镉电极。