简介： 本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x，其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。