简介： 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN形核层、GaN外延层；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5-1°；通过衬底以及其晶向的选取、采用脉冲激光沉积工艺生长AlN缓冲层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN形核层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN外延层等步骤制备而成。本发明的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器等器件中，具有密度低、结晶质量好、成本低等优点。