简介： 本发明涉及倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂荧光离子的氧化镥单晶，所述的荧光离子为Tm³⁺、Yb³⁺或Ho³⁺。直径范围:0.7‑2.0mm，长度>10cm。本发明采用激光加热基座法生长氧化镥单晶光纤，其熔点高达2510℃。本发明掺杂Tm³⁺、Yb³⁺、Ho³⁺氧化镥单晶光纤结合了单晶光纤高热导率、高硬度、高强度、高韧性、及稳定的化学性能等优良的物化性能，和Tm³⁺、Yb³⁺、Ho³⁺荧光掺杂离子灵敏度高和频带宽等优点，可用作制备新型的高温荧光探测材料。