简介： 本发明公开了一类含二唑吲哚并吡咯的稠环化合物及其制备方法与应用，所述稠环化合物结构式如式1，式中，X相同或不同地选自CR¹或N；Y相同或不同地选自：C(R¹)₂、NR¹、BR¹、C(R¹)₂O、Si(R¹)₂、Ge(R¹)₂、R¹C＝CR¹、C(R¹)₂C(R¹)₂、C＝O、C＝NR¹、C(＝O)O、C(＝O)NR¹、P(＝O)(R¹)、P(＝S)(R¹)、O、S、Se、Te、S(＝O)和SO₂中的至少一种；*为R¹或Ar；Ar为稠环基团。该类稠环化合物具有较强的化学稳定性及化学修饰性，具有较好的光探测性能；所述稠环化合物含二唑单元，吸电性较好，是有利于实现空气稳定的n型半导体材料。