简介： 本发明提供原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用，将氧化铜纳米线阵列置于分离的两室反应电解池中，在空气氛围下，以氧化铜纳米线阵列为工作电极，汞/氧化汞为参比电极，铂片为对电极，电解溶液为0.5M K₂CO₃的乙腈和氘代水的混合溶液，其中，乙腈的体积占混合溶液总体积的30‑70％，氘代水的体积占混合溶液总体积的30‑70％，在扫描速度为8‑12mV/s，扫描电压为‑0.4～‑1.4V的范围内进行循环伏安测试，直至氧化铜的还原峰消失，即得到原位合成铜纳米线阵列材料。本发明通过原位转化的方法合成了铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料，以铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料为电化学反应的阴极，利用一种简便的电化学还原方法以氘代水为氘源实现了C‑X/C‑D的高效转化。