简介:
本公开涉及一种基板减薄方法,包括:对基板进行磨削;当完成磨削后,利用能够根据基板的厚度分布分区调节压力的承载头对基板进行化学机械抛光。其中,在完成磨削之后且在化学机械抛光之前,测量已完成磨削的基板的厚度分布,并且根据基板的厚度分布调整承载头对基板的各分区的加载压力;或者在化学机械抛光期间,在线测量基板的厚度分布,并且根据基板的厚度分布调整承载头对基板的各分区的加载压力。通过将磨削和化学机械抛光工艺相结合,提供了加工基板最为经济有效的技术路线,而且通过根据基板厚度分布进行化学机械抛光,提高了基板的厚度均匀性,可为超高密度的半导体堆叠制程提供技术保障。本公开还涉及一种基板减薄设备及其操作方法。
本公开涉及一种基板减薄方法,包括:对基板进行磨削;当完成磨削后,利用能够根据基板的厚度分布分区调节压力的承载头对基板进行化学机械抛光。其中,在完成磨削之后且在化学机械抛光之前,测量已完成磨削的基板的厚度分布,并且根据基板的厚度分布调整承载头对基板的各分区的加载压力;或者在化学机械抛光期间,在线测量基板的厚度分布,并且根据基板的厚度分布调整承载头对基板的各分区的加载压力。通过将磨削和化学机械抛光工艺相结合,提供了加工基板最为经济有效的技术路线,而且通过根据基板厚度分布进行化学机械抛光,提高了基板的厚度均匀性,可为超高密度的半导体堆叠制程提供技术保障。本公开还涉及一种基板减薄设备及其操作方法。