高纯钨表面生成WC方法
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高纯钨表面生成WC方法
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简介: 本发明公开了属于化学热处理技术领域的一种高纯钨表面生成WC方法。具体方法为:准备高纯钨零件和渗碳剂,高纯钨零件表面处理后与渗碳剂装炉进行渗碳处理,采用高真空渗碳,真空度要求< 10?2Pa,渗碳温度为1600~1800℃,保温3?4h,然后再通入约1000Pa高纯氩气炉冷到室温取出,最后进行检验。本发明的方法能够在高纯钨表面生成7?15μm的WC化合物,有效提高了金属钨的耐蚀性。
本发明公开了属于化学热处理技术领域的一种高纯钨表面生成WC方法。具体方法为:准备高纯钨零件和渗碳剂,高纯钨零件表面处理后与渗碳剂装炉进行渗碳处理,采用高真空渗碳,真空度要求< 10?2Pa,渗碳温度为1600~1800℃,保温3?4h,然后再通入约1000Pa高纯氩气炉冷到室温取出,最后进行检验。本发明的方法能够在高纯钨表面生成7?15μm的WC化合物,有效提高了金属钨的耐蚀性。
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标签:化学分析
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