简介： 一种化学机械抛光系统，具有：第一抛光装置，被配置成对工件实施第一化学机械抛光；以及第二抛光装置，被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头，并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时，对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数，以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时，控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。