简介： 一种单温区开管扩镓生产晶闸管方法，属于电力 半导体器件生产工艺。在单温区扩散炉里对经高温 氧化后的硅片进行开管扩镓。扩散时利用干H2从 固态Ga2O3里通过化学反应携带出元素镓，凭借着 对源温、片温、H2气体流量、掺杂时间的控制，使硅片 一次完成掺杂元素镓。本工艺使用设备简单，操作方 便；扩散参数可控、可调、可检；抗玷污能力强，便于推 广。用于晶闸管的生产中，可大幅度提高该类产品的 等级合格率和动态特性。