简介： 一种浅沟槽隔离台阶高度的控制方法,包括:提供同批次的半导体晶圆,所述半导体晶圆上包括待化学机械研磨的浅沟槽隔离区域以及有源区,确定目标台阶高度的值;对上述半导体晶圆进行化学机械研磨;至少选取一片半导体晶圆,测量其实际台阶高度值;获取台阶高度修正值;建立台阶高度修正值与酸洗时间的对应关系;根据上述对应关系,调整该批次半导体晶圆的酸洗时间,并对剩余半导体晶圆进行酸洗,使得浅沟槽隔离区域中,实际台阶高度与目标台阶高度相符。本发明利用酸洗过程中,酸剂的选择性刻蚀作用,调整酸洗的时间修正台阶高度,无需变更化学机械研磨的参数以及增加额外的工序,满足台阶高度的一致性要求。