简介： 本发明提供了一种高亮度发光二极管芯片的制备方法,是将半切工艺用光刻腐蚀法替代,用光刻胶作腐蚀保护层,通过选择性曝光、显影、化学腐蚀的方法,完成共GAAS衬底负极,分离发光二极管芯片的正极。具体方法是发光二极管芯片在完成常规工艺后,在测试前进行以下步骤:(1)匀胶;(2)烘烤;(3)曝光:(4)显影;(5)烘烤;(6)腐蚀。本发明采用化学腐蚀方法完全替代了常规工艺中的“半切”,只需对芯片进行最后完全分离时的切割,完全不接触PN结面,避免了对PN结硬性的损伤,提高了器件的合格率,生产效率提高了一倍。化学腐蚀形成的PN结发光区为光亮完整的碗状台面,有利于向四周发射的光出射,LED芯片的发光亮度比常规方法能增加10%。