简介:
一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-;其中,SrBi4Ti4O15相对应的化学式为:(Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2-,A位是Sr2+、Bi3+离子,B位是Ti4+离子,m=4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备,材料的主要性能为:ε33T/ε0=160±20,tanδ=0.28%,Tc=530℃,d33=21pC/N,ρv(400℃)=1.2×1010Ω·cm,可以制成各种形状的压电陶瓷元件,且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成各种压电传感器,可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。
一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-;其中,SrBi4Ti4O15相对应的化学式为:(Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2-,A位是Sr2+、Bi3+离子,B位是Ti4+离子,m=4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备,材料的主要性能为:ε33T/ε0=160±20,tanδ=0.28%,Tc=530℃,d33=21pC/N,ρv(400℃)=1.2×1010Ω·cm,可以制成各种形状的压电陶瓷元件,且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成各种压电
传感器,可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。