简介： 本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法，其特点是：多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为：在砷化镓衬底上生长0.8-1.2μm的GaAs缓冲层，180-220nm的GaInP阻挡层，1400-1800nm的AlGaInAs渐变缓冲层；将外延片用光刻胶进行保护，同时露出需要腐蚀测厚的部分；用化学腐蚀液对裸露部分进行腐蚀，化学腐蚀液采用柠檬酸、H2O2和磷酸溶液，腐蚀液温度为20～25℃；腐蚀完毕后，用丙酮溶液除去光刻胶，用无水乙醇及去离子水将外延片清洗干净后，即可测量AlGaInAs渐变缓冲层厚度。本发明具有方法简单，操作方便，安全稳定，重复性好，不腐蚀GaInP阻挡层，可以实现准确测量渐变缓冲层的厚度等优点。