简介： 一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法,属于电子材料技术领域,涉及半导体光电薄膜及红外光电探测器,具体是指采用化学浴沉积法制备用于近红外光电探测器的(200)择优取向的硫化铅薄膜的方法。本发明采用化学浴沉积法,通过设计反应前驱物溶液的配置流程,严格控制薄膜的初始成核过程,并通过后续的高温敏化过程,获得(200)择优取向的立方晶相硫化铅薄膜。本发明所制备的硫化铅薄膜具有良好的均匀性和光敏特性,可用于近红外光电探测器。本发明整个制备工艺过程简单、易控,制备装置简单、成本低廉。