简介： 本实用新型公开了一种氢气传感器芯体，氢气传感器芯体依次包括基片、由非晶碳构成的介质层和氢气敏感层；非晶碳成分简单，化学性质稳定，特别适合制备高稳定性、长寿命的电子器件。本实用新型的氢气传感器芯体所制备的MOS电容薄膜氢气传感器能够检测到的氢气浓度下限达10ppm，而且响应时间和脱氢时间小于25s。