简介： 本发明属于化工材料技术领域，具体为一种硅片基硫化铋纳米花阵列的制备方法和应用。本发明方法包括：通过简单的水热法即可在硅片基底上进行硫化铋纳米花阵列的组装，经过充分和烘干处理得到硅片基硫化铋阵列结构。硅片上生长的硫化铋纳米花晶体，形貌均一，尺寸约为800nm，化学式为Bi₂S₃，本发明工艺简便、具有普适性，可以制备其他硫化物。制得的硫化铋纳米花阵列，在光电检测器和场发射等领域具有巨大的应用前景。