简介： 一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属于半导体氧化物气敏材料领域。本发明利用化学气相沉积法在SnO2纳米颗粒表面通过乙炔气体分解制备碳包覆的SnO2纳米颗粒，后经退火处理调控表面碳材料的构成和形貌，得到气敏性能显著增强的碳修饰的纳米SnO2气敏材料。本发明首次将碳修饰的纳米SnO2材料应用于气体检测方向，相对于其他提高气敏材料性能的方法，如溅射或蒸发制备金属氧化物半导体薄膜、溶胶凝胶法制备具有特殊微结构形貌的纳米颗粒、修饰掺杂贵金属Pt、Pd、Au等方法，本发明具有方法简单、成本低廉的优点，且得到的碳修饰的SnO2纳米气敏材料的气敏性能有显著的提高，在气敏材料领域具有广泛的应用前景。