简介： 本发明提供一种功率器件的生产工艺方法，包括：检测来料；合格来料通过表面组装和研磨技术制作基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺并形成氧化层；在所述氧化层上生成氮化硅层，以形成目标衬底结构，并铺设光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区等；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后通过溅镀的方式完善功率器件的制做。本发明降低了功率器件的制造加工成本；同时通过该方法制造功率器件，废品回收率达到70％以上，高于同行业水平。