简介： 本发明公开了一种去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法,采用明场扫描方法BFI检测出第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层、第二介质层或第三阻挡层中掺杂有污染物颗粒的晶圆后,该方法包括:采用化学机械研磨工艺CMP依次去除第三阻挡层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层。采用该方法能够降低半导体器件的生产成本。