简介： 公开了具有局部近似线性阵列的穿线位错图案的高质量氨热第第III族金属氮化物晶体、制造高质量氨热第III族金属氮化物晶体的方法以及使用这种晶体的方法。这些晶体可用于晶种本体晶体生长，并可用作发光二极管、激光二极管、晶体管、光电检测器、太阳能电池和用于氢气产生装置的光电化学水分解的衬底。