简介： 本发明提供一种利用HIPIMS方法结合镀膜智能监控加气系统制备化合物薄膜材料的方法，运用高功率脉冲磁控物理气相沉积方法制备高质量化合物薄膜，利用智能监控加气系统检测真空腔体内等离子体密度与分布情况、等离子体能量以及各工艺气体的比例变化，自动调控腔体内工艺气体的加入量以及加入量的变化速度，结合HIPIMS技术溅射各类靶材，本发明方法发挥高功率磁控溅射的成膜特点，且通过引入智能监控加气系统，采用适当的工艺可制备性能优良的所需化学计量比的高质量化合物薄膜材料，解决现有的反应溅射镀膜中因靶材表面“毒化”而导致的溅射效率下降，靶材表面“毒化”打火，而成膜质量下降的问题。