简介： 本发明属于气体传感器技术领域，具体为一种室温下NH3气敏传感器件及其制备方法。本发明制备方法是使用物理或者化学刻蚀的方法，在一定厚度的、电阻率为1-10Ω·cm的p型单晶硅片表面形成尺度为1-10μm的准周期性微结构，并在真空中对微结构表面进行热蒸发或者磁控溅射镀膜，形成金属电极，制成氨敏传感器件。该器件材料制备简单，成本低廉，克服了普通氨敏传感器工作温度高，响应及恢复速度较慢等缺点，在室温下对ppm级氨气具有极快的响应时间和恢复时间，同时具有较高灵敏度和选择性，在NH3检测传感领域具有广阔应用前景。