简介： 本发明属于半导体晶圆清洗领域，涉及一种基于超声波‑等离子体复合清洗晶圆的方法和装置。本发明包括超声波清洗工艺结合等离子体清洗工艺的模式，可以根据清洗环境，切换物理清洗与等离子体清洗以获得最节约能量与最大效率的方式开展清洗，节约时间和人力成本，具有巨大经济优势；通过设置多次晶圆检测步骤，可以提高碳化硅晶圆的清洗质量；通过设置等离子体清洗工艺，可以清洗碳化硅晶圆表面的化学污染物和由范德华力吸附的超细微粒污染物。