简介： 本发明提供了一种高荧光发射的POSS取代苝二酰亚胺晶体及其制备方法。所述晶体因POSS取代基结构和晶格的阻隔，阻碍了苝核的堆积，分子间π-π相互作用是非连续的，阻止了荧光猝灭从而具备高荧光发射性。所述制备方法是以相应的非晶态固体为原料，通过结晶制得。本发明所述高荧光发射的POSS取代苝二酰亚胺晶体为非晶固体的荧光量子产率的2-3倍，并且在200-600nm紫外可见光区域具有强而宽的吸收，在600-680nm左右具有强烈的荧光发射性能。其作为荧光功能有机晶体材料在有机发光二极管、光泵浦激光、场效应晶体管、化学传感器、微电子领域、生物分子荧光标记、检测、筛选和富集等生物医用领域具有广泛的应用价值。