简介： 本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其加工制造方法；本发明首先采用高温气相沉积法制备碳化硅晶锭，然后对碳化硅晶锭进行整形并获得碳化硅晶棒，然后对碳化硅晶锭进行切片并获得碳化硅晶片，然后对碳化硅晶片依次进行研磨、抛光、检测和清洗，从而获得碳化硅衬底，然后通过化学气相沉积法在碳化硅衬底的上表面上制备碳化硅外延层，从而获得碳化硅晶圆，然后通过离子注入机向碳化硅晶圆中注入铝离子用以形成P型掺杂区和氮离子用以形成漏极和源极的N型导电区，然后在JFET区制备结势垒肖特基二极管等；本发明能够有效地解决现有技术存在高温、高压耐性差、开关速度低以及生产成本高等问题。