简介： 本发明公开了一种基于表面SiO₂改性的高选择性氢气传感器。它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO₂气体传感器表面沉积一层致密SiO₂层而得到。本发明提供的高选择性氢气传感器选择性大幅提高，可有效降低乙醇、丙酮等大分子气体对氢气的干扰。氢气检测灵敏度高，对氢气的响应值最大为140左右，工作温度最低可达到200℃。