简介： 本发明属于ESD芯片制造领域，尤其是一种低电容ESD芯片制造工艺，针对现有的ESD芯片漏电流高，电容值高问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、扩散前处理：采用N型外延衬底，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理；S2、零层光刻，初氧；S3、基区光刻：正胶工艺刻出基区；S4、基区补硼；S5、硼氧化：生成薄氧；S6、正面接触区光刻，正面蒸铝，正面金属光刻；S7、真空合金，中检；S8、正面贴膜保护，背面磨片，背面蒸钛镍银锡；S9、测试，本发明漏电流低，电容值低。