简介： 本发明公开了一种金掺杂硅纳米锥阵列气敏传感器的制备方法，采用纳米球模板和金属辅助化学刻蚀相结合的方法在硅基底上刻蚀出硅纳米锥阵列，利用磁控溅射法在纳米锥之间掺入金颗粒，通过本发明的方法制备的金掺杂的硅纳米锥阵列气敏传感器，可以形成具有较大比表面积和气体扩散通道的结构，金颗粒对气敏性能有一定的提升。并且，所制备的金掺杂硅纳米锥阵列气敏传感器元件可在室温下检测超低浓度的氮氧化物气体，具有高灵敏度、良好选择性的优点。该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉等优点，具有重要的实践意义和研究意义。