简介： 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法。本发明采用两步无电化学沉积技术，第一步在硅片表面沉积制备出均匀的单层银纳米粒子，第二步在单层银纳米粒子上再沉积制备出网状银纳米链，最终在硅片表面形成银纳米粒子和网状银纳米链的双层结构。与单层银纳米结构相比，双层银纳米结构形成更多“热点”区域，硅基SERS基底检测呈现出高灵敏度特征。本发明的制作成本低，具有无掩模、常温常压的制备特点，为新型硅基SERS基底的结构设计与制备提供了新的思路和有效的技术手段。