简介： 本发明公开了一种锥体形微池阵列立体结构电极制备方法,涉及微电极加工技术,是基于体硅加工工艺,采用硅的各向异性湿法腐蚀技术在微小硅片表面向下腐蚀出微池阵列结构,并配合响应的绝缘处理及溅射铂/金等工艺,完成立体结构微电极的制备。所制备微池包括5-150um多种尺寸,阵列结构整齐、均匀分布在微电极表面,并有利于进一步进行纳米材料修饰。本发明方法采用标准MEMS加工技术,工艺简单、规范、实用性强,能够有效扩大微电极表面面积,适合在电化学传感器的微电极表面区域进行立体结构的设计和制备,并有效提高电极检测性能。