简介： 本发明涉及硅片清洗技术领域，具体涉及一种硅片的物理清洗方法。首先分析硅片基底所带的电荷；然后将硅片放入超声波清洗设备，加入清洗液，通过超声波震荡清洗硅片。采用超声波物理方法清洗硅片，利用电荷的相互作用去除硅片表面的污染物，避免了使用氢氧化钠，氢氧化钾等腐蚀性化学清洗方法对硅片的损伤。本发明的清洗剂中加入的表面活性剂和分散剂可使硅片表面存在的固体及液体颗粒有效溶解在清洗液中，同时也能防止颗粒的沉降和凝聚，形成安定的悬浮液，因此，在清洗的过程中，加入带有表面活性剂和分散剂的清洗液，配合超声波进行清洗能够有效的清洗硅片表面的污染物。