简介： 本发明涉及芯片分析技术领域，公开了一种超薄芯片的晶背制备方法，包括如下步骤：S1：使用热熔胶固定芯片的锡球面，其中热熔胶涂抹均匀；S2：裁剪板载体，其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积；S3：使用热熔胶将芯片粘接在板载体上，其中，所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽，芯片背面卡接在所述卡接槽内；S4：研磨去除表面的板载体，露出芯片背面；S5：化学法去除芯片背面的胶体；S6：拆下样品；研磨时，受到的力会被板载体均匀开，同时板载体还能增加研磨的阻力，在厚度变薄时其进度会更容易控制，提高研磨的均匀度与质量，使得芯片背面不会出现裂纹以及研磨更均匀。