简介： 本发明涉及锂离子电池存储技术领域，且公开了界面相互作用构建内建电场用于高性能锂离子存储，包括：S1样品合成，氧化石墨烯(GO)悬浮液是通过改进的Hummer制备方法，合成GaZnON@NG异质结构通常遵循以下步骤，用连续磁力搅拌器在Ga2(SO4)3和ZnSO4溶液中加入一定量的GO溶液，开发了界面相互作用和内建电场调节策略来构建氮掺杂石墨烯(NG)复合的GaZnON纳米颗粒(GaZnON@NG)简单易行的方法。先进的结构表征和密度泛函理论(DFT)分析揭示了强化学键(Ga–N/N–C)和GaZnON@NG的界面电荷转移。这种界面相互作用可以巧妙地调节界面电子状态，改善表面电子密度和电荷传输动力学，从而实现高效锂离子存储。