简介： 本发明提供了一种通过简单的光化学掺杂电子手段，实现常规半导体量子点(CdSe QD)中热载流子寿命显著延长的独特方法。基于CdSe QD材料体系，改变量子点导带中掺杂电子的程度，利用超快瞬态吸收光谱仪，系统研究了不同电子光掺杂程度对CdSe QD中热电子驰豫时间的影响，通过分析对比获取的动力学谱图和相关动力学参数，发现QD中电子掺杂程度较低时(<25％)，其热电子寿命达到10ps左右；若QD中实现电子重度掺杂，即掺杂程度在60％左右，此时热电子驰豫寿命可被延长至300ps量级。为今后基于QD的热载流子高效提取材料体系的调控、构建和设计提供了一定的理论指导。