简介:
本发明涉及一种MnTe2基新型热电材料及其制备方法,MnTe2基新型热电材料的化学式为Mn1‑xAgxTe2,其中,0≤x≤0.04。与现有技术相比,本发明通过银掺杂大幅提升了MnTe2基体材料的空穴浓度,优化了材料的电学性能,并基于材料的大跨度载流子浓度合理地运用SPB理论模型对其热电性能进行分析,同时掺杂引起的晶格常数变化以及银与锰之间的质量差增强了声子散射,降低了晶格热导率,并在850K时接近MnTe2基材料的最低晶格热导率~0.5W/m‑K,此外,电性能的优化和晶格热导率的降低使得材料的热电优值得以提升,并在850K达到了0.7,指出了MnTe2基体材料具有成为高性能热电材料的潜能等。
本发明涉及一种MnTe2基新型热电材料及其制备方法,MnTe2基新型热电材料的化学式为Mn1‑xAgxTe2,其中,0≤x≤0.04。与现有技术相比,本发明通过银掺杂大幅提升了MnTe2基体材料的空穴浓度,优化了材料的电学性能,并基于材料的大跨度载流子浓度合理地运用SPB理论模型对其热电性能进行分析,同时掺杂引起的晶格常数变化以及银与
锰之间的质量差增强了声子散射,降低了晶格热导率,并在850K时接近MnTe2基材料的最低晶格热导率~0.5W/m‑K,此外,电性能的优化和晶格热导率的降低使得材料的热电优值得以提升,并在850K达到了0.7,指出了MnTe2基体材料具有成为高性能热电材料的潜能等。